青年人才托举工程博士生答辩PPT——基于HZO铁电薄膜的FeRAM器件制备与疲劳特性改善研究(附源文件)

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一、个人基本情况

本人博士毕业于物理专业，先后在中科院电学研究所、清华大学从事铁电材料与器件研究，现任像素大学电子工程学院副院长，主持国家自然科学基金杰青、重大及变革性技术专项等项目。长期聚焦HZO铁电薄膜及其在FeRAM中的应用，致力于突破传统存储器的功耗与集成瓶颈。

二、主要学术成绩

面向大数据高性能计算的存算一体需求，取得三项核心突破：

组分优化与相结构调控：精确控制Zr掺杂比例，稳定正交铁电相，抑制氧空位浓度。成果发表于Nature Communications，实现CeO₂₋ₓ/HZO共格界面设计，疲劳寿命达10¹¹次无疲劳翻转，获2025年Chip中国芯片科学十大进展提名。

界面工程与电极优化：设计共格异质界面，阻断电荷捕获与氧空位聚集路径。通过界面钝化与能带对齐，将界面态密度降低2个数量级。

器件结构与三维集成：探索垂直堆叠与侧壁铁电薄膜取向控制，支撑Gb级集成密度。相关成果入选2026年中国芯片科学十大进展（“纳米栅超低功耗铁电晶体管”）。

获国家自然科学一等奖、中国电子学会科学技术奖等，授权发明专利12项，Nature Electronics等顶刊高度评价“将推动FeRAM走向产业化”。

三、拟开展的研究

围绕疲劳机理的多尺度模拟与可靠性体系建立：①结合应力工程与低温退火，阻断氧空位聚集；②研究多元共掺杂协同调控、三维结构侧壁均匀性保障；③建立“组分-性能”定量构效数据库。目标：疲劳寿命突破10¹¹次，极化强度>20μC/cm²，125℃数据保持>10年。

四、研究支撑条件

依托国家集成电路产教融合创新平台、铁电与微纳电子实验室，拥有原子级薄膜沉积设备（HZO、TiO₂等）、球差校正透射电镜（原位电场/加热观测畴结构）、感应耦合等离子体刻蚀及高加速温度应力测试系统。实验室开放运行，每年设立开放课题，为国内外合作提供一流平台。

整套PPT共计17页，源文件均可编辑和修改

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