案例分享 | 从1500ppt到10ppt!科海思助力电子材料企业突破 SEMI G5 异丙醇除硼难题

在半导体、高端电子制造领域，电子级异丙醇是晶圆清洗、光刻胶剥离的核心耗材，其纯度直接影响产品良率与可靠性，而硼杂质的深度去除，更是企业突破高端标准的关键突破口之一。

当前，国内SEMI G4及以上级别电子级异丙醇自给率不足30%，高端产能存在较大缺口，进口依赖度相对较高，除硼技术瓶颈已成为众多电子材料企业向高端领域升级的主要阻碍。

近日，科海思成功为某知名电子材料企业完成异丙醇除硼项目，凭借定制化工艺，将入水1500ppt硼含量稳定降至10ppt，精准达成SEMI G5级标准，助力企业逐步实现高端产品升级。

随着国内半导体产业加速向自主可控方向发展，高端电子级异丙醇作为核心耗材，其进口依赖问题已成为制约产业发展的关键之一，而除硼技术的突破，正是打破这一僵局的重要抓手。

硼作为半导体制造中的“隐形污染物”，即便ppt级的残留，也可能导致器件性能漂移、芯片良率下降。SEMI G5标准对电子级异丙醇硼含量要求严苛，需≤10ppt，这也是衡量净化技术水平的核心标尺之一。

目前，行业内多数企业的除硼工艺仍处于传统水平，难以突破SEMI G3、G4标准，与G5级要求存在一定差距，难以适配高端生产需求。

本次合作的知名电子材料企业，其异丙醇入水硼含量高达1500ppt，直接导致高端产能受限。同时，该企业核心高端原料依赖进口，不仅增加了生产成本，还可能面临供应链不稳定的风险，一定程度上制约了其市场竞争力。

而企业面临的除硼难题，也是行业内普遍存在的技术痛点——硼在异丙醇中易形成特殊化合物，传统精馏工艺难以去除这类痕量杂质，普通离子交换树脂又缺乏特异性，容易影响异丙醇的理化性能。

尤其要实现SEMI G5级除硼标准，难度更是显著提升，这也是多数企业难以突破的核心瓶颈，主要体现在两个方面：

其一，精度要求高。G5级明确要求硼含量≤10ppt，属于痕量甚至超痕量净化范畴，对杂质的识别和吸附精度要求严苛，普通工艺很难达到如此精准的净化效果；

其二，体系适配性难。异丙醇作为有机溶剂，体系特性特殊，除硼过程中必须兼顾净化精度与异丙醇本身的理化性能，不能因除硼而影响产品纯度和使用效果，这对除硼材料的特异性、稳定性提出了极高要求。

正是洞察这一行业技术困境，科海思针对性定制专属除硼方案，帮助企业实现技术突破。

针对该企业异丙醇硼含量高（入水1500ppt）、需规模化连续生产，且要突破G5级除硼高精度、体系适配难题的核心需求。

科海思摒弃传统单一精馏工艺的局限，定制设计“精馏+CH-99专用除硼树脂”组合工艺，兼顾净化效果与生产效率，无需大幅改造现有生产线，可有效降低企业投入成本。

这套组合工艺的核心逻辑的是分步净化、优势互补：前期通过精馏去除大部分杂质，降低树脂吸附负荷；后期采用3罐串联设计，搭配CH-99专用除硼树脂，精准吸附痕量硼，有效解决了传统工艺“除硼不彻底”的问题。

方案的核心优势，集中在CH-99专用除硼树脂与3罐串联设计的协同作用，其中CH-99树脂的核心优势主要包括：

• 特异性强：采用特殊胺-聚羟基螯合结构，能精准识别并吸附硼杂质，不吸附异丙醇其他组分，不易影响其理化性质，可较好适配电子级产品的严苛要求。

• 稳定性高：吸附容量较大、耐温性较好，可在复杂工况下稳定运行，为深度除硼提供可靠支撑。

• 经济性优：可通过稀酸、碱及电子级异丙醇漂洗再生，再生后吸附容量恢复率较高，有助于降低企业长期运行成本。

此项目入水硼含量1500ppt，经科海思组合工艺处理后，出水硼含量稳定控制在10ppt，精准契合SEMI G5级电子级异丙醇要求，能够满足企业的核心需求，有效破解了其高端产能瓶颈。

这一成果具有较高的行业价值——当前行业内多数企业仅能达到SEMI G3、G4标准，难以突破ppt级除硼壁垒，而科海思通过定制化工艺，实现了净化效果的跨越式提升。

此次合作，助力该企业成功跻身高端电子级异丙醇生产行列，产品溢价能力得到大幅提升，在高端市场占据更有利的地位。

深耕溶液净化领域多年，科海思始终以解决行业痛点为核心，依托CH-99专用除硼树脂等核心技术，为各类电子材料企业提供定制化除硼解决方案。

此次案例的成功，进一步验证了科海思的技术实力，也为国内更多电子材料企业突破SEMI G5级标准、实现高端升级提供了可参考的实践经验。

未来，科海思将持续深耕技术研发，不断优化工艺，努力助力更多电子材料企业突破技术瓶颈，推动国内电子材料产业向自主可控、高质量发展方向迈进，为半导体产业链提供更可靠的保障。