国家重点研发计划PPT——节点计算光刻与光学附近效应修正软件研发项目(附源文件)

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本 PPT 围绕 “节点计算光刻与光学邻近效应修正软件研发” 项目展开，紧扣国家 “工业软件” 专项战略，聚焦 7 纳米及以下先进制程核心 “卡脖子” 问题。针对 EUV 光刻随机效应、高精度建模等行业难题，构建 “物理建模 + AI 加速 + 工程验证” 全链条技术体系，旨在实现国产计算光刻软件的自主可控与产业化替代，保障我国芯片制造产业链安全。

1. 立项背景与战略意义

先进制程计算光刻软件是芯片制造的核心基础，目前被国外厂商绝对垄断，存在极高技术壁垒。随着制程向 EUV 及以下演进，技术挑战从确定性光学效应转向复杂随机效应，国内亟需突破核心软件自主化。项目响应国家战略，旨在攻克 7 纳米及以下节点计算光刻与 OPC 关键技术，保障产业链安全。

2. 总体技术路线与核心任务

项目构建 “基座构建 - 模块研发 - 系统集成 - 产品应用” 四层技术路线，核心攻克三大任务：AI 生成式 OPC 框架、高精度物理建模与仿真平台、EUV 随机效应矢量建模。通过异构加速、大规模并行计算，实现仿真速度提升 2-3 个数量级，兼顾精度与工程可用性。

3. 研发团队与工作基础

项目由算法、物理、软件、工艺多领域专家组成的跨学科团队，拥有国家集成电路创新研究背景。团队曾完成国家 02 专项课题，与中芯国际、华虹集团建立联合实验室，已建成国内领先的 EUV 光刻仿真实验环境，具备从实验到数字仿真的闭环能力。

4. 预期成果与风险应对

项目分三阶段推进，预期完成算法原型、软件发布与产业化验证，形成国产 “曙光” 计算光刻软件套件，核心指标达到国际先进水平。针对技术、工艺、竞争等多重风险，制定了 “产线数据驱动 + 深度绑定龙头企业” 的应对策略，确保技术成果可验证、可替代。

整套PPT共计18页，源文件均可编辑和修改

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