应材100页PPT,披露DRAM路线图

随着生成式AI向智能体AI（Agentic AI）演进，数据中心对先进逻辑芯片、高性能存储和先进封装的需求正在进一步增长。这一变化不仅推动AI芯片架构持续升级，也正在重塑半导体制造设备市场的增长逻辑。

在SEMICON West 2026期间，应用材料（Applied Materials）公布了最新的长期业务展望。公司认为，全球AI基础设施建设将推动半导体设备市场进入持续多年的增长周期，先进逻辑、DRAM和先进封装将成为其中的重要驱动力。

应用材料预计，到2030年，全球晶圆厂设备（WFE）支出增速将超过过去十年的水平，并计划在2025年至2030年间将自身WFE市场份额提高超过2个百分点。同时，公司提出了更高的盈利能力目标，预计到2030年非GAAP毛利率达到约54%，非GAAP营业利润率达到约40%。

值得关注的是，应用材料看好的不仅是AI基础设施扩张带来的新增晶圆产能，还包括存储芯片制造工艺与先进封装技术的持续演进。从DRAM由6F²向4F²、再向3D DRAM发展，到HBM封装与混合键合技术的推进，工艺复杂度的提升正在为半导体设备厂商创造新的市场机会。

AI工作负载变化，正在重塑设备需求

应用材料认为，AI正在成为全球经济和半导体产业的重要驱动力，而先进逻辑、DRAM和先进封装是当前受AI推动增长的重要晶圆厂设备细分市场。

AI基础设施的扩张并不只是GPU数量增加。随着AI应用从生成式AI向智能体AI发展，数据中心的计算架构和芯片组合也在发生变化。智能体AI涉及更复杂的任务规划、推理与执行，可能进一步增加对CPU、加速器、存储和高速互连的需求。

应用材料在会上指出，智能体AI工厂Pod所需的晶圆量可能达到生成式AI Pod的2至4倍，具体取决于系统配置。在智能体AI工厂的晶圆投入中，先进逻辑、DRAM和先进封装合计约占85%。

这意味着，AI基础设施投资正在从单纯增加算力，进一步延伸至更复杂的处理器、存储和封装系统。随着芯片性能、能效和数据传输需求不断提高，相关制造环节也需要更先进的工艺与设备支持。

对于应用材料而言，这种需求变化具有重要意义。公司希望通过在先进逻辑、DRAM和先进封装领域的技术积累，以及与领先芯片厂商的研发合作，参与下一代芯片架构和关键制造工艺的开发。

DRAM从6F²走向4F²，下一站是3D DRAM

在存储领域，应用材料重点关注DRAM单元结构的演进。

随着AI服务器对高性能存储的需求持续增长，DRAM制造既需要满足更高的容量和带宽要求，也面临持续提高存储密度的压力。应用材料在会上提出，DRAM技术正从传统的6F²单元结构向4F²演进，未来还将进一步向3D DRAM发展。

按照公司的测算，从6F²向4F²演进，将使其相关可服务市场规模（SAM）扩大40%以上。随着技术进一步向3D DRAM发展，新的工艺路线也有望创造更多设备市场机会。应用材料还预计，在DRAM相关技术演进过程中，其可服务市场份额有望提升约5个百分点。

这里需要注意，6F²和4F²描述的是DRAM存储单元的面积结构。随着单元结构发生变化，制造工艺也需要相应调整，相关设备需求并不只是由晶圆投入量决定，还与工艺步骤、材料选择及制造复杂度密切相关。

对于设备厂商而言，DRAM技术升级意味着新的工艺开发与设备导入机会。应用材料希望借助其在材料工程和晶圆制造设备领域的技术积累，在下一代DRAM制造工艺中进一步扩大市场份额。

从产业角度看，AI带来的存储需求增长与DRAM技术演进正在形成叠加效应：前者推动存储产能投资，后者则可能提高先进工艺对设备和材料技术的要求。两者共同构成应用材料看好DRAM设备市场的重要基础。

HBM持续扩张，混合键合打开先进封装新空间

除了DRAM前道制造，HBM及先进封装也是应用材料重点看好的增长领域。

随着AI加速器对存储带宽的需求不断提高，HBM已经成为AI服务器的重要组成部分。围绕HBM制造，硅通孔（TSV）、晶圆正反面处理以及微凸块等工艺承担着重要作用。

应用材料表示，其业务覆盖HBM封装约四分之三的工艺步骤，在HBM封装相关可服务市场中的份额超过60%，并预计2026年HBM相关收入将超过10亿美元。

不过，公司关注的不仅是现有HBM封装需求的增长，还包括下一阶段的混合键合技术。

与传统微凸块连接相比，混合键合有望进一步提高芯片间连接密度，为更高水平的三维集成提供支持。随着HBM、3D逻辑芯片以及共封装光学（CPO）等应用发展，芯片间互连技术的重要性也在不断提升。

应用材料表示，其产品组合覆盖混合键合前处理、键合本身和键合后处理三个环节约80%的相关工艺步骤。在键合设备方面，公司与Besi合作开发Kinex晶粒对晶圆（die-to-wafer）键合解决方案。

公司还预计，混合键合相关可服务市场规模有望达到微凸块和TSV相关市场规模的两倍。这一判断体现了应用材料对先进封装技术升级的期待：未来市场机会不仅来自HBM出货量增长，还来自芯片集成密度提升以及互连工艺路线变化。

从DRAM单元结构演进到HBM封装和混合键合，存储产业的技术变化正在同时发生于晶圆制造和先进封装环节。对于应用材料而言，这使其能够从多个制造环节参与AI存储产业链的发展。

设备市场增长仍受扩产条件制约

尽管AI带来的长期需求前景受到应用材料看好，但设备支出并不会与需求同步、无限制地扩张。

公司管理层指出，洁净室空间、供应链零部件、能源供应和融资条件，都可能影响晶圆厂扩产的节奏。即使芯片厂商拥有扩大产能的投资意愿，也需要具备相应的厂房、基础设施和设备安装条件，才能将资本开支转化为实际晶圆产出。

此外，半导体制造设备涉及复杂的全球供应链，部分关键零部件的交付能力也可能成为限制因素。能源供应和建设成本同样会影响大型晶圆厂项目的进度。

因此，未来设备市场的增长不仅取决于AI芯片需求，还取决于晶圆厂扩产能力、设备交付和产能建设能否跟上需求变化。

应用材料预计，到2030年，全球WFE支出增速将高于过去十年。这一展望反映了公司对AI驱动的长期设备需求保持信心，但实际增长节奏仍需要观察产业链的产能建设情况。

服务业务与AI平台，成为另一增长支点

除了晶圆制造设备本身，应用材料也在强化服务和过程控制业务，以扩大其在半导体制造价值链中的覆盖范围。

公司预计，2026年全球服务业务收入将增长超过20%，并提出到2030年服务收入超过120亿美元的目标。

随着半导体制造工艺不断复杂化，客户不仅需要采购新设备，还需要设备维护、升级、性能优化以及工艺支持。设备安装基数扩大，也为后续服务业务提供了增长空间。

应用材料还在推进基于AI的制造能力建设。公司表示，目前已有3.7万台工艺腔体接入其AIX平台，并计划到2030年将这一数字提升至9万台以上。

通过扩大设备连接规模并运用数据分析和AI技术，公司希望进一步提升设备运行效率、制造良率和服务能力。这也反映出半导体设备厂商的竞争重点，正从单一设备性能向设备、工艺、软件和长期服务的综合能力延伸。

瞄准2030年，提升市场份额与盈利能力

在长期财务目标方面，应用材料提出，到2030年将非GAAP毛利率提升至约54%，非GAAP营业利润率提升至约40%，同时争取在2025年至2030年间获得超过2个百分点的晶圆厂设备市场份额增长。

公司还表示，将在长期内把80%至100%的自由现金流用于股东回报。

综合来看，应用材料对未来增长的判断建立在两条主线上：一方面，智能体AI与数据中心建设将推动先进逻辑、DRAM和先进封装需求增长；另一方面，DRAM从6F²向4F²及3D DRAM演进，以及HBM封装和混合键合等技术的发展，将进一步改变半导体制造的工艺需求。

这意味着，半导体设备市场的增长不仅来自新增晶圆产能，也可能来自先进制造工艺所带来的设备价值量提升。

对于应用材料而言，未来的关键不仅是把握AI带来的资本开支增长，还在于能否持续参与客户的下一代工艺研发，并将材料工程、设备技术和制造数据能力转化为可持续的竞争优势。

当然，需求增长最终能以多快的速度转化为设备订单和收入，仍取决于晶圆厂建设、供应链和能源等现实条件。AI带来的长期机会已经成为应用材料战略的重要支撑，而存储技术路线与先进封装工艺的演进，则为这轮增长提供了更具体的技术落点。

附：演讲PPT