国自然青年学生基础研究项目答辩介绍
一、个人基本情况
身份与荣誉微电子与集成电路专业（本科/博士）候选人，国家奖学金、国家“拔尖计划”青年人才获得者，获“全国大学生/研究生电子设计竞赛最高奖项”。科研经历先后在集成电路先进制造国家重点实验室、微纳电子学与前沿交叉科学研究院参与国家级重大科研攻关项目。研究方向先进制程计算光刻技术、掩膜缺陷跨尺度演化机理、智能光学邻近效应修正（OPC）与多物理场仿真。
二、学业基础与科研训练成果
学业基础核心专业课平均成绩 90 分以上，位居专业前列；扎实掌握半导体物理与微电子制造核心理论；参与撰写/编译 2 部高水平学术专著（章节）或综述，如《先进微纳制造导论》《计算光刻核心原理》。科研训练主持或作为核心骨干参与多项国家级科研创新计划，以第一作者/核心成员发表多篇高水平学术论文及发明专利，获 11 项国家级/省级学术竞赛特等奖及一等奖，包括“挑战杯”全国大学生课外学术科技作品竞赛特等奖等。
三、核心学术贡献
跨尺度缺陷演化机理首创构建“纳观-微观-宏观”跨尺度光刻掩膜缺陷演化物理模型，揭示极紫外（EUV）等先进制程下缺陷在多重曝光与显影过程中的传递与放大瞬态机制，研制出基于多物理场耦合的掩膜缺陷动态仿真框架，实现纳米级精准成像预测与误差张量测量。智能光学邻近修正建立建立“光刻机台-掩膜-硅片”全链路下的智能 OPC 修正范式，攻克先进制程节点图形畸变与良率波动的“卡脖子”修正技术，主导设计基于物理模型与深度学习双驱动的光刻掩膜优化算法，推动计算光刻底层设计准则革新。
四、服务国家战略
战略一：集成电路自主可控支撑国家半导体制造与核心工艺自主可控，突破先进制程下掩膜良率预测瓶颈，依托国家级微纳加工平台开展光刻掩膜版关键工艺研究，研发具有完全自主知识产权的计算光刻仿真与缺陷修正软件原型。战略二：前沿交叉创新夯实集成电路基础研究青年人才梯队，培养“微电子 + 计算机 + 光学”跨界战略科技力量，推动产学研用深度融合与国产 EDA 生态体系建设，实现光刻掩膜优化的智能化、高效化、集成化与精密化。
五、未来发展潜力
算法维度拓展将光学邻近修正模型的计算效能从常规节点推向 3nm/2nm 等极端先进制程节点，实现从掩膜三维拓扑形貌到晶圆成像缺陷的全链条机理溯源与逆向光刻技术（ILT）突破。数据驱动创新利用海量光刻机台实际曝光数据训练大语言与生成式人工智能模型，嵌入空间像光强分布等物理守恒律，大幅提升光刻掩膜缺陷预测与图形修正精度。平台与合作优势依托集成电路先进工艺重点实验室等三大国家级科研平台，与国内头部晶圆代工厂及国产半导体设备企业深度合作，技术落地与产业化转化前景广阔。
